SYSTEMS AND METHODS FOR DETECTORS HAVING IMPROVED INTERNAL ELECTRICAL FIELDS

A radiation detector is provided including a cathode, an anode, and a semiconductor wafer. The semiconductor wafer has opposed first and second surfaces. The cathode is mounted to the first surface, and the anode is mounted to the second surface. The semiconductor wafer is configured to be biased by...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GLAZER, YARON, HAR-LAVAN, ROTEM, SHAHAR, ARIE, OFAN, AVISHAI, LEVY, JEFFREY
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A radiation detector is provided including a cathode, an anode, and a semiconductor wafer. The semiconductor wafer has opposed first and second surfaces. The cathode is mounted to the first surface, and the anode is mounted to the second surface. The semiconductor wafer is configured to be biased by a voltage between the cathode and the anode to generate an electrical field in the semiconductor wafer and to generate electrical signals responsive to absorbed radiation. The electrical field has an intensity having at least one local maximum disposed proximate to a corresponding at least one of the first surface or second surface. L'invention a trait à un détecteur de rayonnement qui comprend une cathode, une anode et une tranche de semi-conducteur. La tranche de semi-conducteur présente des première et seconde surfaces opposées. La cathode est montée sur la première surface et l'anode est montée sur la seconde surface. La tranche de semi-conducteur est configurée de façon à être sollicitée par une tension entre la cathode et l'anode afin de générer un champ électrique dans la tranche de semi-conducteur et générer des signaux électriques en réponse à un rayonnement absorbé. Le champ électrique a une intensité ayant au moins un maximum local situé à proximité de la première surface et/ou de la seconde surface correspondante.