HIGH-THROUGHPUT DEPOSITION OF A VOLTAGE-TUNABLE DIELECTRIC MATERIAL

High-throughput deposition of a voltage-tunable dielectric material onto a substrate comprising a conductive electrode is provided. Respective gradients in at least two grain size defining parameters of the deposition are simultaneously provided, the respective gradients occurring for a first time period thereby producing a smoothly changing columnar crystalline habit of the voltage-tunable dielectric material. When the first time period has ended, the deposition continues for a second time period where the grain size defining parameters are held constant. In particular, the smoothly changing columnar crystalline habit of the voltage-tunable dielectric material is intentionally distorted by simultaneously providing the respective gradients in the in at least two grain size defining parameters of the deposition. Il est décrit un dépôt à haut débit dune matière diélectrique accordée en tension sur un substrat comprenant une électrode conductrice. Les gradients respectifs dau moins deux paramètres définissant le calibre du grain du dépôt sont fournis simultanément, les gradients respectifs étant obtenus pour une première période, produisant ainsi un habitus cristallin colonnaire évoluant avec fluidité pour la matière diélectrique accordée en tension. Une fois que la première période prend fin, le dépôt se poursuit pendant une seconde période où les paramètres définissant le calibre du grain sont maintenus. En particulier, lhabitus cristallin colonnaire évoluant avec fluidité de la matière diélectrique accordée en tension est sciemment altéré par lajout des gradients respectifs dans au moins un des deux paramètres définissant le calibre du grain du dépôt.