HIGH VOLTAGE WIDE BANDWIDTH AMPLIFIER

A high voltage amplifier (100) and a method of assembling and of operating a high voltage amplifier (100) are described. The device includes a first metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET (150b), driven by a first gate drive circuit (130b). The device also includes a second MOSFET (150a) driven by a second gate drive circuit (130a) and a first optocoupler (120) coupled to the second gate drive circuit (130a). The first MOSFET (150b) and the second MOSFET (150a) of the high voltage amplifier (100) drive a first output voltage (Vo). L'invention concerne un amplificateur (100) à haute tension et un procédé de montage et d'utilisation d'un amplificateur (100) à haute tension. Le dispositif inclut un premier transistor à effet de champ semi-conducteur métal-oxyde (MOSFET) (150b), piloté par un premier circuit de pilotage de grille (130b). Le dispositif inclut aussi un second MOSFET (150a) piloté par un second circuit de pilotage de grille (130a) et un premier coupleur optoélectronique (120) couplé au second circuit de pilotage de grille (130a). Le premier MOSFET (150b) et le second MOSFET (150a) de l'amplificateur (100) à haute tension pilotent une première tension de sortie (Vo).