PROCESS FOR DEPOSITING METAL ON A SUBSTRATE

A process for depositing a metal on a substrate involves the use of two reduction reactions in a bottom-up based tandem manner starting from a substrate surface and working upward. A first reduction reaction starts on the substrate surface at ambient temperature, and a second reduction reaction, which is initiated by the reaction heat of the first reduction reaction, occurs in a reactive ink solution film coated on top, which becomes solid after the reaction. Gas and other small molecules generated from the reduction reactions, and the solvent, can readily escape through the upper surface of the film before the solid metal layer is formed or during post-treatment, with no or few voids left in the metal film. Thus, the process can be used to form highly conductive films and features at ambient temperature on various substrates. L'invention concerne un procédé de dépôt de métal sur un substrat qui inclut l'utilisation de deux réactions de réduction d'une manière en tandem par approche ascendante à partir d'une surface de substrat et en travaillant vers le haut. Une première réaction de réduction commence sur la surface du substrat à température ambiante, et une seconde réaction de réduction, qui est amorcée par la chaleur de réaction de la première réaction de réduction, se produit dans un film de solution d'encre réactive appliqué sur le dessus, qui devient solide après la réaction. Du gaz et d'autres petites molécules générées par les réactions de réduction, et le solvant, peuvent facilement s'échapper par la surface supérieure du film avant la formation de la couche métallique solide ou durant le post-traitement, avec peu ou pas de vides restants dans le film métallique. Ainsi, le procédé peut être utilisé pour former des films et des éléments hautement conducteurs à température ambiante sur divers substrats.