IMAGE SENSOR WITH ANTI-BLOOMING GATE

The invention relates to electronic active-pixel image sensors. The pixel comprises a photodiode (PH) formed in an active semiconductor layer (12) and held at a zero reference potential, and above the active layer an anti-blooming gate (G5) adjacent, on one side, to the photodiode and, on the other side, to the an evacuation drain (22). The sensor comprises means for applying, to the anti-blooming gate, during most of the integration time, a blocking potential generating under the gate a potential barrier of a first height, and, during a series of short pulses during the integration time, an anti-blooming potential generating a potential barrier of a second height lower than the first. Applying the anti-blooming voltage only during the short pulses decreases the dark noise induced by quantum tunnelling by the electrical field between the gate and photodiode. L'invention concerne les capteurs d'image électronique à pixels actifs. Le pixel comprend une photodiode (PH) constituée dans une couche active semiconductrice (12) et maintenue à un potentiel de référence nul, et au-dessus de la couche active une grille d'anti-éblouissement (G5) adjacente d'un côté à la photodiode et d'un autre côté à un drain (22) d'évacuation. Le capteur comprend des moyens pour appliquer à la grille d'anti-éblouissement, pendant la plus grande partie de la durée d'intégration, un potentiel de blocage créant sous la grille une barrière de potentiel d'une première hauteur, et, pendant une série d'impulsions brèves au cours de la durée d'intégration, un potentiel d'anti-éblouissement créant une barrière de potentiel d'une deuxième hauteur, plus faible que la première. Le fait d'appliquer la tension d'anti-éblouissement seulement pendant des impulsions brèves réduit le bruit d'obscurité induit par effet tunnel par le champ électrique entre grille et photodiode.