CELLULAR LAYOUT FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of fabricating a semiconductor device cell at a surface of a silicon carbide (SiC) semiconductor layer includes forming a segmented source and body contact (SSBC) of the semiconductor device cell over the surface of the SiC semiconductor layer. The SSBC includes a body contact portion disposed over the surface of the semiconductor layer and proximate to a body contact region of the semiconductor device cell, wherein the body contact portion is substantially disposed over the center of the semiconductor device cell. The SSBC also includes at least one source contact portion disposed over the surface of the semiconductor layer and proximate to a source contact region of the semiconductor device cell, wherein the at least one source contact portion only partially surrounds the body contact portion of the SSBC. Il est décrit une méthode de fabrication dune cellule de dispositif à semiconducteur à la surface dune couche de semiconducteur en carbure de silicium (SiC). La méthode en question comprend la formation dun contact à la source et au corps en segments (SSBC) de la cellule de dispositif à semiconducteur sur la surface de la couche de semiconducteur en SiC. Le SSBC comprend une partie constituant un contact avec le corps disposée sur la surface de la couche de semiconducteur à proximité dune zone de contact avec le corps de la cellule de dispositif à semiconducteur, laquelle ou lesquelles zones de contact avec le corps recouvre essentiellement le centre de la cellule de dispositif à semiconducteur. Le SSBC comprend également au moins une partie constituant un contact avec la source de la cellule de dispositif à semiconducteur, lesquelles parties constituant un contact avec la source entourent seulement partiellement la partie de contact avec le corps du SSBC.