SPIN TORQUE MRAM USING BIDIRECTIONAL MAGNONIC WRITING
An apparatus is provided for bidirectional writing. A stack includes a reference layer on a tunnel barrier, the tunnel barrier on a free layer, and the free layer on a metal spacer. The apparatus includes an insulating magnet. A Peltier material is thermally coupled to the insulating magnet and the...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | An apparatus is provided for bidirectional writing. A stack includes a reference layer on a tunnel barrier, the tunnel barrier on a free layer, and the free layer on a metal spacer. The apparatus includes an insulating magnet. A Peltier material is thermally coupled to the insulating magnet and the stack. When the Peltier/insulating magnet interface is cooled, the insulating magnet is configured to transfer a spin torque to rotate a magnetization of the free layer in a first direction. When the Peltier/insulating magnet interface is heated, the insulating magnet is configured to transfer the spin torque to rotate the magnetization of the free layer in a second direction.
L'invention concerne un appareil d'écriture bidirectionnelle. Selon l'invention, un empilement comprend une couche de référence sur une barrière à effet tunnel, la barrière à effet tunnel sur une couche libre et la couche libre sur un espaceur métallique. L'appareil selon l'invention comprend un aimant isolant. Un matériau Peltier est couplé thermiquement à l'aimant isolant et à l'empilement. Lorsque l'interface Peltier/aimant isolant est refroidie, l'aimant isolant est configuré pour transférer un couple de spin pour faire pivoter une magnétisation de la couche libre dans un premier sens. Lorsque l'interface Peltier/aimant isolant est chauffée, l'aimant isolant est configuré pour transférer le couple de spin pour faire pivoter la magnétisation de la couche libre dans un deuxième sens. |
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