THERMALLY ACTIVATED MAGNETIC AND RESISTIVE AGING

Examples of the present invention include apparatus and methods for monitoring aging of an item. A solid-state structure is located within, adjacent to, or otherwise proximate the item, the solid-state structure including nanostructures. The electrical resistance and/or magnetization of the solid-state structure is determined to determine the degree of aging of the item. In representative examples, the solid-state structure includes nanostructures of a metal, such as a ferromagnetic metal, within a non-magnetic matrix, such as a semimetal, semiconductor, or insulator. La présente invention se rapporte, dans des exemples, à un appareil et à des procédés permettant de surveiller le vieillissement d'un article. Une structure à semi-conducteurs est agencée dans l'article, ou de façon adjacente à ce dernier ou encore à proximité de ce dernier, la structure à semi-conducteurs comprenant des nanostructures. La résistance électrique et/ou l'aimantation de la structure à semi-conducteurs est déterminée pour déterminer le degré de vieillissement de l'article. Dans des exemples représentatifs, la structure à semi-conducteurs comprend des nanostructures composées d'un métal, tel qu'un métal ferromagnétique, et agencées dans une matrice non magnétique, telle qu'un semi-métal, un semi-conducteur ou un isolant.