METHOD OF DEPOSITING METALLIC LAYERS BASED ON NICKEL OR COBALT ON A SEMICONDUCTING SOLID SUBSTRATE; KIT FOR APPLICATION OF SAID METHOD

The present invention relates to a kit intended for the deposition of nickel or cobalt in the cavities of a semiconductor substrate intended to form through- silicon vias (TSV) for making interconnections in integrated circuits in three dimensions. The invention also relates to a method of metallization of the insulating surface of such a substrate which comprises contacting the surface with a liquid aqueous solution containing: - at least one metal salt of nickel or cobalt; - at least one reducing agent; - at least one polymer bearing amine functions, and - at least one agent stabilizing the metal ions. The step coverage of the layer of nickel or cobalt obtained can be greater than 80%, which facilitates subsequent filling of the vias with copper by electrodeposition. La présente invention porte sur une trousse destinée au dépôt de nickel ou de cobalt dans les cavités d'un substrat en semi-conducteur destinées à former des trous d'interconnexion à travers le silicium (TSV) pour la formation d'interconnexions dans des circuits intégrés en trois dimensions. L'invention porte également sur un procédé de métallisation de la surface isolante d'un tel substrat qui comprend la mise en contact de la surface avec une solution aqueuse liquide contenant : au moins un sel métallique de nickel ou de cobalt ; au moins un agent réducteur ; au moins un polymère portant des fonctions amines ; et au moins un agent stabilisant les ions métalliques. Le recouvrement de marches de la couche de nickel ou de cobalt obtenue peut être supérieur à 80 %, ce qui facilite le remplissage subséquent des trous d'interconnexion avec du cuivre par dépôt électrolytique.