SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR REDUCED BIAS TEMPERATURE INSTABILITY (BTI) IN SILICON CARBIDE DEVICES
A system includes a silicon carbide (SiC) semiconductor device and a hermetically sealed packaging enclosing the SiC semiconductor device. The hermetically sealed packaging is configured to maintain a particular atmosphere near the SiC semiconductor device. Further, the particular atmosphere limits...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A system includes a silicon carbide (SiC) semiconductor device and a hermetically sealed packaging enclosing the SiC semiconductor device. The hermetically sealed packaging is configured to maintain a particular atmosphere near the SiC semiconductor device. Further, the particular atmosphere limits a shift in a threshold voltage of the SiC semiconductor device to less than 1 V during operation.
Un système comprend un dispositif à semiconducteur de carbure de silicium et un emballage fermé hermétiquement accueillant le dispositif à semiconducteur de carbure de silicium. Lemballage fermé hermétiquement est configuré pour maintenir une atmosphère particulière près du dispositif à semiconducteur de carbure de silicium. De plus, latmosphère particulière limite un changement dans la tension de seuil du dispositif à semiconducteur de carbure de silicium à moins de 1 V pendant lopération. |
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