ACETYLENE BLACK SEMICONDUCTING SHIELD MATERIAL WITH IMPROVED PROCESSING
A semiconducting shield composition comprising a polyolefin and acetylene black having at least one of the following properties: (a) a DBP oil adsorption of 150 ml/100g to 200 ml/100g; (b) an iodine absorption of 85 mg/g to 105 mg/g; (c) an apparent density of 0.2 g/ml to 0.4 g/ml; (d) a crystallite...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A semiconducting shield composition comprising a polyolefin and acetylene black having at least one of the following properties: (a) a DBP oil adsorption of 150 ml/100g to 200 ml/100g; (b) an iodine absorption of 85 mg/g to 105 mg/g; (c) an apparent density of 0.2 g/ml to 0.4 g/ml; (d) a crystallite size along (002) less than 30 Å; and (e) a carbon-carbon bond length along (100) less than 2.42 Å. The semiconducting shield may be incorporated into a semiconducting layer and/or a semiconductor apparatus.
L'invention porte sur une composition de blindage semi-conducteur comprenant une polyoléfine et du noir d'acétylène ayant au moins l'une des propriétés suivantes : (a) une adsorption d'huile de DBP de 150 ml/100 g à 200 ml/100 g ; (b) une absorption d'iode de 85 mg/g à 105 mg/g ; (c) une masse volumique apparente de 0,2 g/ml à 0,4 g/ml ; (d) une taille des cristallites le long de (002) inférieure à 30 Å ; et (e) une longueur de liaison carbone-carbone le long de (100) inférieure à 2,42 Å. Le blindage semi-conducteur peut être incorporé dans une couche semi-conductrice et/ou un appareil à semi-conducteur. |
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