POLYCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

The present invention relates inter alia to polycrystalline silicon containing polycrystalline silicon fragments, at least 90% of the fragments having a size from 10 to 40 mm, characterized by silicon dust particle contents of less than 15 ppmw for particle sizes of less than 400 µm, less than 14 ppmw for particle sizes of less than 50 µm, less than 10 ppmw for particle sizes of less than 10 µm and less than 3 ppmw for particle sizes of less than 1 µm, and furthermore characterized by surface metal impurities greater than or equal to 0.1 ppbw and less than or equal to 100 ppbw. The invention furthermore relates to a method for the production of polycrystalline silicon, comprising fracture of polycrystalline silicon deposited on thin rods in a Siemens reactor into fragments, sorting of the fragments into size classes of from about 0.5 mm to more than 45 mm, and treatment of the silicon fragments by means of compressed air or dry ice in order to remove silicon dust from the fragments, no wet chemical cleaning of the fragments being carried out. La présente invention concerne, entre autres, du silicium polycristallin contenant des fragments de silicium polycristallin, au moins 90 % des fragments ayant une taille de 10 mm à 40 mm, caractérisés par des particules de poussière de silicium de moins de 15 ppm en poids pour les tailles de particules de moins de 400 m, de moins de 14 ppm en poids pour les tailles de particules de moins de 50 m, de moins de 10 ppm en poids pour les tailles de particules de moins de 10 m et de moins de 3 ppm en poids pour les tailles de particules de moins de 1 m, et caractérisés de plus par des impuretés métalliques de surface plus grandes ou égales à 0,1 ppb en poids et moins de ou égal à 100 ppb en poids. L'invention se rapporte également à une méthode de fabrication de silicium polycristallin comprenant la rupture du silicium polycristallin déposé sur de minces tiges dans un réacteur en fragments, le tri des fragments en fonction de leur taille d'environ 0,5 mm à plus de 45 mm et le traitement des fragments de silicium avec de l'air comprimé ou de la glace sèche afin de retirer la poussière de silicium des fragments. Aucun nettoyage par voie chimique humide des fragments n'est réalisé.