METHOD FOR OBTAINING SYNTHESIS GAS BY PARTIAL CATALYTIC OXIDATION

L'invention concerne un procédé d'obtention de gaz de synthèse par oxydation catalytique partielle, consistant à mettre en contact un hydrocarbure à l'ét at gazeux et un gaz oxydant, ainsi qu'éventuellement une faible quantité de vapeur d'eau, en présence d'un catalyseu...

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Hauptverfasser: LEDOUX, MARC-JACQUES, LEROI, PASCALINE, BOUSQUET, JACQUES, PHAM-HUU, CUONG, SAVIN-PONCET, SABINE
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:L'invention concerne un procédé d'obtention de gaz de synthèse par oxydation catalytique partielle, consistant à mettre en contact un hydrocarbure à l'ét at gazeux et un gaz oxydant, ainsi qu'éventuellement une faible quantité de vapeur d'eau, en présence d'un catalyseur comprenant au moins un carbure de silicium, à une température supérieure à 800 ~C. Selon l'invention, le carbu re de silicium a une surface spécifique déterminée par la méthode BET inférieur e ou égale à 100 m2/g, le temps de contact entre le mélange de l'hydrocarbure gazeux, du gaz oxydant et éventuellement de la vapeur d'eau et le carbure de silicium est supérieur à 0,05 seconde et la pression à l'intérieur du réacte ur est supérieure à la pression atmosphérique. The invention relates to a method for obtaining synthesis gas by partial catalytic oxidation, consisting in bringing a hydrocarbon in a gaseous state into contact with an oxidizing gas, and therefore possibly a small amount of water vapor, in the presence of a catalyst comprising at least one silicon carbide at a temperature of more than 800° C. According to the invention, the silicon carbide has a specific surface which is determined by the BET method and which is less than or equal to 100 m2/g, the contact time between the mixture of gaseous hydrocarbon, oxidizing gas and silicon carbide being more than 0.05 seconds and the pressure inside the reactor being greater than atmospheric pressure.