MESFET POWER AMPLIFIER AND ITS POWER SUPPLY, PARTICULARLY FOR AMPLIFYING MICROWAVE SIGNALS IN A SATELLITE

Le bloc d'alimentation (32-43) délivre à un amplificateur de puissance à transistor(s) MESFET les tensions nécessaires à son fonctionnement, notamment une tension continue de drain de MESFET (V dd) . Il comprend: un composant sensible à la température (14; 20), disposé à proximité du(des) transistor(s) MESFET, de manière à se trouver influencé par la tempéra- ture de celui(ceux-ci), et des moyens (13; 19), asservis à un paramètre délivré par ledit composant sensible à la température, pour faire varier le niveau de la tension continue de drain dans le même sen s que la variation de température. De cette ma- nière, on compense, par action sur le niveau de la tension continue de drain , la variation antagoniste de gain et de puissance de sortie de l'amplificateur en fonction de la température et ce, même s'il fonctionne en régime de saturation. PCT No. PCT/FR92/00781 Sec. 371 Date Feb. 25, 1993 Sec. 102(e) Date Feb. 25, 1993 PCT Filed Aug. 7, 1992 PCT Pub. No. WO93/03541 PCT Pub. Date Feb. 18, 1993.A power supply unit for a MESFET power amplifier is adapted to supply to the amplifier the voltages necessary for it to operate including a MESFET DC drain voltage. The power supply unit comprises a temperature-sensitive component near the MESFET(s) of the power circuit(s) so as to sense their temperature. A device slaved to a parameter delivered by the temperature-sensitive component varies the DC drain voltage in the same direction as the temperature varies so as to compensate by operation on the DC drain voltage the temperature-dependent antagonistic variation of gain and output power of the amplifier even if operating in saturation mode.