MESFET POWER AMPLIFIER AND ITS POWER SUPPLY, PARTICULARLY FOR AMPLIFYING MICROWAVE SIGNALS IN A SATELLITE

ABR?G? DESCRIPTIF Amplificateur de puissance à transistors MESFET et son bloc d'alimentation, notamment pour l'amplification de signaux hyperfréquences à bord d'un satellite Le bloc d'alimentation (32-43) délivre à un amplificateur de puissance à transistor(s) MESFET les tensions nécessaires à son fonctionnement, notamment une tension continue de drain de MESFET (Vdd).II comprend: -un composant sensible à la température (14; 20), disposé à proximité du (des) transistor(s) MESFET, de manière à se trouver influencé par la température de celui(ceux)-ci, et -des moyens (13; 19), asservis à un paramètre délivré par ledit composant sensible à la température, pour faire varier le niveau de la tension continue de drain dans le même sens que la variation de température. De cette manière, on compense, par action sur le niveau de la tension continue de drain, la variation antagoniste de gain et de puissance de sortie de l'amplificateur en fonction de la température et ce, même s'il fonctionne en régime de saturation. (Figure 5) PCT No. PCT/FR92/00781 Sec. 371 Date Feb. 25, 1993 Sec. 102(e) Date Feb. 25, 1993 PCT Filed Aug. 7, 1992 PCT Pub. No. WO93/03541 PCT Pub. Date Feb. 18, 1993.A power supply unit for a MESFET power amplifier is adapted to supply to the amplifier the voltages necessary for it to operate including a MESFET DC drain voltage. The power supply unit comprises a temperature-sensitive component near the MESFET(s) of the power circuit(s) so as to sense their temperature. A device slaved to a parameter delivered by the temperature-sensitive component varies the DC drain voltage in the same direction as the temperature varies so as to compensate by operation on the DC drain voltage the temperature-dependent antagonistic variation of gain and output power of the amplifier even if operating in saturation mode.