Camada de interrupção de corrosão e proteção para processamento de capacitor em dispositivos eletroacústicos

camada de interrupção de corrosão e proteção para processamento de capacitor em dispositivos eletroacústicos. dispositivos eletroacústicos (502) com um elemento capacitivo (504) e métodos para fabricar tais dispositivos eletroacústicos. um método exemplar inclui formar um dispositivo acústico (502)...

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Hauptverfasser: LUKASHOV ILYA, POHLNER STEPHAN, JUNGKUNZ MATTHIAS, EGGS CHRISTOPH, MARC ESQUIUS MOROTE, FREISLEBEN STEFAN, GIESEN MARCEL, TELGMANN THOMAS
Format: Patent
Sprache:por
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Beschreibung
Zusammenfassung:camada de interrupção de corrosão e proteção para processamento de capacitor em dispositivos eletroacústicos. dispositivos eletroacústicos (502) com um elemento capacitivo (504) e métodos para fabricar tais dispositivos eletroacústicos. um método exemplar inclui formar um dispositivo acústico (502) acima de uma primeira região (506b) de um substrato e formar um elemento capacitivo (504) acima de uma segunda região (506a) do substrato e adjacente ao dispositivo acústico. a formação do elemento capacitivo pode incluir formar uma camada protetora (510) acima do substrato onde uma primeira parte da camada protetora está acima da segunda região do substrato e uma segunda parte da camada protetora está acima da primeira região do substrato, formar uma região dielétrica (512) acima da camada protetora e formar um eletrodo (514) acima da região dielétrica. a região dielétrica (512) pode incluir um material diferente da camada protetora (510). Electroacoustic devices with a capacitive element and methods for fabricating such electroacoustic devices. An example method includes forming an acoustic device above a first region of a substrate, and forming a capacitive element above a second region of the substrate and adjacent to the acoustic device. The forming of the capacitive element may include forming a protective layer above the substrate where a first portion of the protective layer is above the second region of the substrate and a second portion of the protective layer is above the first region of the substrate, forming a dielectric region above the protective layer, and forming an electrode above the dielectric region. The dielectric region may include a different material than the protective layer.