MÉTODO PARA SEPARAÇÃO DE IMPUREZAS DE CARBETO DE SILÍCIO, PÓ DE CARBETO DE SILÍCIO TRATADO POR TEMPERATURA E PURIFICADO

MÉTODO PARA SEPARAÇÃO DE IMPUREZAS DE CARBETO DE SILÍCIO, PÓ DE CARBETO DE SILÍCIO TRATADO POR TEMPERATURA E PURIFICADO. A presente invenção invenção trata de um método para separar impurezas do carbeto de silício, que pode ser usado em pós de SiC de pastas de moagem e pó de carbeto de silício tratado por temperatura e purificado. É um objetivo da presente invenção fornecer um método para separar substancialmente completamente várias impurezas com um processo simples e econômico. O problema é resolvido por um método no qual os produtos residuais de SiC em pó contendo pelo menos 50% em massa de SiC e um tamanho de grão médio d50 entre 0,5 e 1000 µm foram submetidos a tratamento por temperatura e resfriados, tratados mecanicamente e separados fisicamente, e subsequentemente o pó de SiC fisicamente separado é dividido em duas frações, das quais a massa de impurezas em uma fração é pelo menos duas vezes maior que na outra fração. The invention concerns the area of ceramics an relates to a method for separating impurities from silicon carbide, said method being applicable to SiC powders from grinding sludges, and to temperature-treated and purified silicon carbide powder. The aim of the invention is to provide a method with which different impurities are substantially completely removed using a simple and economical process. This is achieved by a method in which pulverulent SiC waste products that have a mass percent of SiC of at least 50% and an average grain size d50 ranging from 0.5 to 1000 μm and have been subjected to a temperature treatment and cooled are mechanically treated and physically separated. The physically separated SiC powder is then divided into two fractions, one of which has a mass of impurities that is greater than the mass of impurities in the other fraction at least by a factor of 2.