fita para processamento de semicondutores
é fornecida uma fita para processamento de semicondutores que pode ser retraida por aquecer suficientemente em um curto período de tempo e pode reter uma largura de corte. uma fita para processamento de semicondutores 10 da invenção inclui uma fita adesiva temporária 15 tendo uma película de substra...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | é fornecida uma fita para processamento de semicondutores que pode ser retraida por aquecer suficientemente em um curto período de tempo e pode reter uma largura de corte. uma fita para processamento de semicondutores 10 da invenção inclui uma fita adesiva temporária 15 tendo uma película de substrato 11; e uma camada adesiva temporária 12 formada em pelo menos um lado da superfície da película de substrato 11, na qual em relação à fita adesiva temporária 15, a soma do valor médio do valor diferencial da taxa de deformação térmica na direção md por 1ºc entre 40ºc e 80ºc medida no momento de aumentar a temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, e o valor médio do valor diferencial da taxa de deformação térmica na direção td por 1ºc entre 40ºc e 80ºc medida no momento de aumentar a temperatura por meio de uma máquina de teste de características termomecânicas, é um valor negativo.
The present invention provides a tape for semiconductor processing which can be sufficiently heated and contracted for a short period of time and can maintain a kerf width. This tape 10 for semiconductor processing of the present invention has an adhesive tape 15 having: a base film 11; and an adhesive layer 12 formed on at least one surface side of the base film 11, and the adhesive tape 15 is characterized in that the total sum of an average value of differential values of thermal deformation rates per 1°C in an MD direction which are measured by a thermomechanical property tester when the temperature rises between 40°C and 80°C, and an average value of differential values of thermal deformation rates per 1°C in a TD direction which are measured by the thermomechanical property tester when the temperature rises between 40°C and 80°C is a minus value. |
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