litografia avançada e dispositivos automontados

são descritas técnicas de litografia avançadas incluindo padronização de afastamento sub-10 nm e estruturas daí resultantes. são descritos dispositivos automontados e seus métodos de fabricação. Advanced lithography techniques including sub-10 nm pitch patterning and structures resulting therefrom a...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CURTIS W. WARD, FLORIAN GSTREIN, MANISH CHANDHOK, JAMES M. BLACKWELL, KEVIN L. LIN, ROBERT L. BRISTOL, PAUL A. NYHUS, ELLIOT N. TAN, RICHARD E. SCHENKER, MARIE KRYSAK, SWAMINATHAN SIVAKUMAR, CHARLES H. WALLACE
Format: Patent
Sprache:por
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Beschreibung
Zusammenfassung:são descritas técnicas de litografia avançadas incluindo padronização de afastamento sub-10 nm e estruturas daí resultantes. são descritos dispositivos automontados e seus métodos de fabricação. Advanced lithography techniques including sub-10 nm pitch patterning and structures resulting therefrom are described. Self-assembled devices and their methods of fabrication are described.