MITIGAÇÃO DE EFEITO DE COMPRIMENTO DE DIFUSÃO PARA CÉLULAS LÓGICAS E POSICIONAMENTO DAS MESMAS

Trata-se de sistemas e métodos relacionados às metodologias de posicionamento de célula para aprimorar o comprimento de difusão de transistores. Por exemplo, um primeiro transistor com um primeiro nó de difusão que é ligado por um primeiro corte de difusão é identificado em um layout de nível de transistor. O primeiro corte de difusão é substituído por uma primeira porta flutuante, e uma primeira célula de carga com uma primeira região de difusão de carga é adicionada para estender um comprimento de difusão do primeiro nó de difusão. Aumenta-se o comprimento de fios condutores de difusão para aprimorar a resistência de acionamento e desempenho do primeiro transistor. Systems and methods relate to cell placement methodologies for improving length of diffusion of transistors. For example, a first transistor with a first diffusion node which is bounded by a first diffusion cut is identified in a transistor level layout. The first diffusion cut is replaced with a first floating gate, and a first filler cell with a first filler diffusion region is added to extend a length of diffusion of the first diffusion node. Increasing the length of diffusion leads to improving drive strength and performance of the first transistor.