tecnologias para acesso contemporâneo de memória não volátil e volátil em um dispositivo de memória

tecnologias para acessar dispositivos de memória de um dispositivo de módulo de memória incluem receber um pedido de leitura de memória de um hospedeiro e ler, em resposta ao pedido de leitura de memória, um posto de dispositivos de memória não volátil ativos do dispositivo de módulo de memória enquanto acessa contemporaneamente um dispositivo de módulo de memória. o dispositivo de memória volátil compartilha linhas de dados de um barramento de dados do dispositivo de módulo de memória com um dispositivo de memória não volátil sobressalente associado ao posto de dispositivos de memória não volátil ativos. durante operações de escrita, cada um dos postos de dispositivos de memória não volátil ativos e o dispositivo de memória não volátil sobressalente associado ao posto de dispositivos de memória não volátil ativos são escritos para facilitar o nivelamento de uso adequado dos dispositivos de memória não volátil. o dispositivo de memória não volátil sobressalente pode substituir os dispositivos de memória não volátil com falha do posto de dispositivos de memória não volátil ativos. em caso de um tal evento, o dispositivo de memória volátil não é mais acessado contemporaneamente durante operações de leitura do posto de dispositivos de memória não volátil ativos. Technologies for accessing memory devices of a memory module device includes receiving a memory read request form a host and reading, in response to the memory read request, a rank of active non-volatile memory devices of the memory module device while contemporaneously accessing a volatile memory device of the memory module device. The volatile memory device shares data lines of a data bus of the memory module device with a spare non-volatile memory device associated with the rank of active non-volatile memory devices. During write operations, each of the rank of active non-volatile memory devices and the spare non-volatile memory device associated with the rank of active non-volatile memory devices are written to facilitate proper wear leveling of the non-volatile memory devices. The spare non-volatile memory device may replace a failed non-volatile memory devices of the rank of active non-volatile memory devices. In such an event, the volatile memory device is no longer contemporaneously accessed during read operations of the rank of active non-volatile memory devices.