disposição de alta voltagem compreendendo estrutura isolante

resumo patente de invenção: "disposição de alta voltagem compreendendo estrutura isolante". a presente invenção refere-se a uma disposição de alta voltagem (1) para um sistema de energia de alta voltagem. a disposição de alta voltagem (1) possui uma estrutura isolante que reduz o percurso de fluxo na estrutura isolante. a disposição de alta voltagem (1) compreende uma estrutura isolante (6) disposta em torno do segundo condutor (13) para fornecer isolamento do segundo condutor (13), em que a estrutura isolante (6) possui uma extensão contínua em uma direção axial a partir de uma primeira extremidade (21-1) fornecendo isolamento de essencialmente todo o comprimento do segundo condutor (13) para uma segunda extremidade (21-2) da estrutura isolante disposta em torno da parte de bucha (11-1), segunda extremidade essa (21-2) que se estende em torno da parte de bucha (11-1) pelo menos até um ponto onde o potencial elétrico de uma superfície externa da parte de bucha (11-1) é no máximo igual à média do potencial do primeiro condutor (9) e o potencial do plano de interface (4) quando a disposição de alta voltagem (1) está em uso. It is presented a high voltage arrangement (1) for a high voltage power system. The high voltage arrangement (1) has an insulating structure which reduces the creep path in the insulating structure. The high voltage arrangement (1) comprises an insulating structure (6) arranged around the second conductor (13) for providing insulation of the second conductor (13), wherein the insulating structure (6) has a continuous extension in an axial direction from a first end (21-1) thereof providing insulation of essentially the entire length of the second conductor (13) to a second end (21-2) of the insulating structure arranged around the bushing portion (11-1), which second end (21-2) extends around the bushing portion (11-1) at least to a point where an electric potential of an external surface of the bushing portion (11-1) is at most equal to the average of the potential of the first conductor (9) and the potential of the interfacing plane (4) when the high voltage arrangement (1) is in use.