reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo

reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo a presente invenção refere-se a um reator de deposição de vapor químico intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo que compreende uma unidade de distribuição de gás que é integrada a um eletrodo de rf e que compreende uma saída de gás. o objetivo da presente invenção é fornecer um reator de placa paralela do tipo referido com o qual camadas com alta homogeneidade de espessura e qualidade podem ser produzidas. o objetivo é resolvido por um reator de deposição de vapor intensificado por plasma de placa paralela com acoplamento capacitivo do tipo mencionado em que a unidade de distribuição de gás compreende uma cabeça de chuveiro de múltiplos estágios construída de tal maneira que fornece um ajuste independente de distribuição de gás e perfil de emissão de gás da unidade de distribuição de gás. The present invention relates to a capacitive-coupled parallel plate plasma enhanced chemical vapour deposition reactor, comprising a gas distribution unit being integrated in an RF electrode and comprising a gas outlet. It is the object of the present invention to provide parallel plate reactor of the referenced type with what layers with high thickness homogeneity and quality can be produced. The object is solved by a capacitive-coupled parallel plate plasma enhanced vapour deposition reactor of the mentioned type wherein the gas distribution unit comprises a multiple-stage showerhead constructed in such a way that it provides an independent adjustment of gas distribution and gas emission profile of the gas distribution unit.