processo de obtenção de um substrato revestido sobre pelo menos uma parte de sua superfície de pelo menos uma camada de óxido de um metal e substrato obtido por tal processo

processo de obtenção de um substrato revestido sobre pelo menos uma parte de sua superfície de pelo menos uma camada de óxido de um metal e substrato. a invenção tem por objeto um processo de obtenção de um substrato revestido sobre pelo menos uma parte de sua superfície de pelo menos uma camada de óxido de um metal m cuja espessura física é inferior ou igual a 30 nm, a dita camada de óxido não estando compreendida em um empilhamento de camadas compreendendo etapas seguintes: deposita-se por pulverização catódica pelo menos uma camada intermediária de um material escolhido dentro o metal m, um nitreto do metal m, um carboneto do metal m ou um óxido sub-estequiométrico em oxigênio do metal m, a dita camada intermediária não sendo depositada acima ou abaixo de uma camada à base de óxido de titânio, a espessura física da dita camada intermediária sendo inferior ou igual a 30 nm,oxida-se pelo menos uma parte da superfície da dita camada intermediária com a ajuda de um tratamento térmico, durante o qual a dita camada intermediária está em contato direto com uma atmosfera oxidante, notadamente com o ar, a temperatura do dito substrato durante o dito tratamento térmico não ultrapassando 150ºc. The subject of the invention is a process for obtaining a substrate coated on at least part of its surface with at least one film of oxide of a metal M the physical thickness of which is 30 nm or less, said oxide film not being part of a multilayer comprising at least one silver film, said process comprising the following steps: at least one intermediate film of a material chosen from the metal M, a nitride of the metal M, a carbide of the metal M and an oxygen-substoichiometric oxide of the metal M is deposited by sputtering, said intermediate film not being deposited above or beneath a titanium-oxide-based film, the physical thickness of said intermediate film being 30 nm or less; and at least part of the surface of said intermediate film is oxidized using a heat treatment, during which said intermediate film is in direct contact with an oxidizing atmosphere, especially air, the temperature of said substrate during said heat treatment not exceeding 150° C.