Utilização de uma ranhura em u como uma alternativa à utilização de uma ranhura em v para proteger o silìcio contra danos induzidos por fratura

"UTILIZAçãO DE UMA RANHURA EM U COMO UMA ALTERNATIVA à UTILIZAçãO DE UMA RANHURA EM V PARA PROTEGER O SILìCIO CONTRA DANOS INDUZIDOS POR FRATURA". A presente descrição relata que pela modificação da metodologia de fratura de matriz de pastilha para um perfil de ranhura em U de um perfil de...

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Hauptverfasser: ALAIN E. PERREGAUX, JOSEF E. JEDLICKA, PAUL A. HOSIER, NICHOLAS J. SALATINO, JAGDISH C. TANDON
Format: Patent
Sprache:por
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Zusammenfassung:"UTILIZAçãO DE UMA RANHURA EM U COMO UMA ALTERNATIVA à UTILIZAçãO DE UMA RANHURA EM V PARA PROTEGER O SILìCIO CONTRA DANOS INDUZIDOS POR FRATURA". A presente descrição relata que pela modificação da metodologia de fratura de matriz de pastilha para um perfil de ranhura em U de um perfil de ranhura em V pela modificação da segunda etapa de gravação para ser uma gravação a seco ao invés de uma gravação molhada resulta em uma economia de custo direta pela eliminação de uma etapa de processo mais dispendiosa, assim como a necessidade de destacar a camada de fotorresistente revelada. Mais ainda, indo para um perfil de ranhura em U executa uma economia de custo adicional indireta e maior que resulta do rendimento do processo aumentado, da produção melhorada, e dos defeitos reduzidos da camada metálica. The present disclosure relates that by modifying chip die dicing methodology to a U-groove profile from a V-groove profile by modifying the second etch step to be a dry etch instead of a wet etch results in a direct cost savings by eliminating a more expensive process step, as well as the need for stripping the developed photoresist layer. Furthermore, going to a U-groove profile accomplishes additional indirect and greater cost savings resulting from increased process throughput, improved yield, and reduced metal layer defects.