BIAXIAL MAGNETOSENSITIVE SENSOR CONTAINING HALL ELEMENTS

Двуосният магниточувствителен сензор, съдържащ елементи на Хол, обхваща полупроводникова подложка (1) с р-тип проводимост. Върху едната й страна са формирани четири идентични правоъгълни структури от същия полупроводник с n-тип проводимост, разположени във форма на равностранен кръст - по часовниковата стрелка първа (2), втора (3), трета (4) и четвърта (5), образуващи елементи на Хол. Всеки от тези елементи съдържа по три омични контакта - отвън навътре на n-структурите (2, 3, 4 и 5) последователно първи (6, 7, 8 и 9), втори (10, 11, 12 и 13), и трети (14, 15, 16 и 17). Контакти (10 и 13) са свързани с токоизточник (18). Контакти (16 и 17) са съединени, контакти (11 и 12) са свързани, а контакти (14 и 15) са също съединени. Контакти (7 и 9), и съответно (6 и 8) са диференциални изходи (19 и 20) за двете ортогонални равнинни компоненти на измерваното магнитно поле (21), което е в равнината на подложката (1) и е с произволна ориентация. The biaxial magnetosensitive sensor containing hall elements comprises a p-type conductivity semiconductor substrate (1). Four identical rectangular structures of the same n-type conductivity semiconductor are formed on one side thereof, arranged in an equilateral cross shape, clockwise first (2), second (3), third (4) and fourth (5) forming Hall elements. Each of these elements contains three ohmic contacts - from the outside to the inside of the n-structures (2, 3, 4 and 5), alternating first (6, 7, 8 and 9), second (10, 11, 12 and 13) and third (14, 15, 16 and 17). Contacts (10 and 13) are connected to a current source (18). Contacts (16 and 17) are coupled, contacts (11 and 12) are coupled, and contacts (14 and 15) are also coupled. Contacts (7 and 9), and (6 and 8), respectively, are differential outputs (19 and 20) for the two orthogonal plane components of the measured magnetic field (21), which is in the plane of the substrate (1) and has an arbitrary orientation.