METHOD FOR THE PREPARATION OF POROUS SILICON-CARBONITRIDE FILMS

Методът се прилага за производство на полупроводникови прибори. С него контролируемо се вгражда азот във въглеродния слой, нанесен върху порьозен силиций. Методът се осъществява, като върху силициеваподложка, предварително едностранно полирана и химически почистена чрез обработка в НF : H20 : C2H5OH...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MARINOVA, TSVETANA S, VELCHEV, NIKOLAJ B, DIMITROV, DIMITAR B, KRASTEV, VESELIN J, GEORGIEV, STEFAN S, BESHKOV, GEORGI D
Format: Patent
Sprache:bul ; eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Методът се прилага за производство на полупроводникови прибори. С него контролируемо се вгражда азот във въглеродния слой, нанесен върху порьозен силиций. Методът се осъществява, като върху силициеваподложка, предварително едностранно полирана и химически почистена чрез обработка в НF : H20 : C2H5OH в отношение 2:1:1, сила на тока 1 А и време на въздействие 15 min, се получава порьозен силициев слой с дебелина 10 m и размер на порите 200-300 А.След това върху слой от порьозен силиций чрез метода на високочестотно разпрашване или чрез химическо отлагане от газова фаза се нанася тънък (50-100А) въглероден слой, който се подлага на азотна плазмена обработка в плазмен реактор с честота 27 МНz, мощност 1,2 W/cm2, работен вакуум 0,2 Torr, разстояние между електродите 3 cm, дебит на азота 1,2l/min и време на обработка 10 min, след което се определят параметрите на получения слой чрез трансмисионна електронна микроскопия и ХРS (Х-ray Photoelectron Spectroscopy) анализ. The method is applied for the manufacture of semiconductor instrumentation. By it nitrogen is controllably built into the carbon film applied on porous silicon. The method is effected when on a silicon substrate, previously unilaterally polished and chemically cleaned by treatment in HF: H20: C2H50H in ratio 2:1:1, current power of 1A and 15 min time of effect porous silicon film 10 m thick and with pore dimensions from 200-300 A is produced. Then, thin (50-100 A) carbon film is applied on a film of porous silicon by the method of high frequency sputtering or by chemical deposition of gas phase which is subjected to nitrogen plasma treatment in a plasma reactor with a frequency of 27 MHz, power of 1.2 W/cm2, operating vacuum of 0.2 Torr, 3 cm distance between the electrodes, nitrogen discharge of 1.2 l/min and 10 min time of treatment, after which the parameters of the film produced are determined by transmission electron microscopy and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) analysis. 1 claim, 2 figures