METHOD OF PREPARING EPITAXIAL MONOCRYSTALS FROM GALLIUM-INDIUM PHOSPHIDE GAX IN 1-XP

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	BATOV,IVAN P, ILIN,JURI.I L
Format:	Patent
Sprache:	bul ; eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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