A METHOD FOR RECEIVING BORON NITRIDE NANOLAYERS (BNx)

Изобретението се отнася до метод на получаване на нанослоеве от ВN, намиращи приложение като алтернативен диелектрик в прибори на базата на SiС и като подслой за епитаксиално израстване на GаN, поради съответствие на параметрите на решетката и като износо- и корозионноустойчив материал. Съгласно изобретението методът се реализира като се използва система за бързо термично отгряване, където сапфирената подложка с нанесен върху нея слой от В се поставя директно върху волфрамовия нагревател, като атмосферата във вакуумната камера предварително е наситена с NH3 до налягане 2.10"2 Тоrr. Нагряването е съпротивително, като зададената температура (1400 градуса С) се достига за 2 s, и от зададената температура вследствие на термичната дисоциация на NН3 на атомарен азот и водород протича химическо взаимодействие между бора и азота, водещо до образуване на нанослой (5-30 nm) от ВN, в зависимост от времето и температурата на процеса. Изобретението може да намери приложение в съвременните нанотехнологии, като алтернативен диелектрик и подслой при епитаксия на GаN върху силиций или сапфир, използвани във високотехнологичните процеси, а също и като износо- и корозионноустойчиво покритие. The invention relates to a method for receiving BN nanolayers, finding application as an alternative dielectric in devices based on SiC, as well as an underlayer for epitaxial growing of GaN, due to the adequacy of the lattice parameters, and as wear- and corrosion-resistant material. According to the invention, the method is realised using a system for quick thermal tempering, where the sapphiresole with the applied over it B layer is directly placed upon the tungsten heater, the atmosphere in the vacuum chamber being in advance saturated with HN3 to pressure 2.10"2 Torr. The heating is resistive, and the set temperature (1400oC) is reached in 2s, and from the set temperature, due to the thermal dissociation of NH3 to atomic nitrogen and hydrogen occurs chemical interaction between the boron and nitrogen resulting in creation of a BN nanolayer (5-30 nm), depending on the time and temperature of the process. The invention may find application in the modern nanotechnologies, as an alternative dielectric, and as an underlayer at epitaxy of GaN over silicon or sapphire, used in the high tech processes, as well as a wear- and corrosion-resistant coating.