WERKWIJZE VOOR HET POLIJSTEN VAN EEN OPPERVLAK VAN KOPER OF EEN IN HOOFDZAAK KOPER BEVATTENDE LEGERING, MAGNEETKOP VERVAARDIGBAAR MET GEBRUIKMAKING VAN DE WERKWIJZE, RÖNTGENSTRALINGCOLLIMEREND ELEMENT EN RÖNTGENSTRALINGREFLECTEREND ELEMENT, BEIDE VOORZIEN VAN EEN VOLGENS DE WERKWIJZE GEPOLIJST OPPERVLAK EN POLIJSTMIDDEL GESCHIKT VOOR TOEPASSING IN DE WERKWIJZE

Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst opper...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: POSTMA LAMBERTUS, VAN DEN HOOGENHOF WALTHERUS W, DE HAAS PETER W, DE BOER DIRK K.G, HAISMA JAN
Format: Patent
Sprache:dut
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst oppervlak en polijstmiddel geschikt voor toepassing in de werkwijze. Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak (5a) voor koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, waarbij een polijstmiddel onder uitoefening van een polijstdruk van ongeveer 500 gr/cm2 over het oppervlak wordt verplaatst voor het verkrijgen van een vlak, glad en defectvrij gepolijst oppervlak. Als polijstmiddel wordt een samenstelling, die een een colloïdale suspensie van SiO2 deeltjes met een tussen 20 en 50 nm liggende gemiddelde deeltjesgrootte in een alkali-oplossing bevattende polijstcomponent, gedemineraliseerd water en een chemische activator bevat, toegepast . Method of polishing a surface (5a) of copper or an alloy comprising mainly copper, in which a polishing means is moved across the surface while exerting a polishing pressure of approximately 500 g/cm for obtaining a plane and smooth polished surface without any defects. A composition of a polishing component comprising a colloidal suspension of SiO2 particles having an average particle size of between 20 and 50 nm in an alkali solution, demineralised water and a chemical activator is used as a polishing means.