Drain side sensing scheme for virtual ground flash eprom array with adjacent bit charge and hold

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	SHANE HOLLMER, PAU-LING CHEN, BINH Q. LE, MICHAEL A. VAN BUSKIRK, KAZUHIRO KURIHARA, MICHAEL S. C. CHUNG, SANTOSH K. YACHARENI
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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