VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT UNTERSCHIEDLICH STARK DOTIERTEN BEREICHEN

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT UNTERSCHIEDLICH STARK DOTIERTEN BEREICHEN

The method involves forming a layer (58), which inhibits diffusion of a dopant. The dopant is penetrated into the layer on a portion of the surface of a semiconductor component material (50). A diffusion-inhibiting layer in a highly doped region (62) is partially removed. The dopant source (66) is f...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MELNYK, IHOR, FATH, PETER
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:The method involves forming a layer (58), which inhibits diffusion of a dopant. The dopant is penetrated into the layer on a portion of the surface of a semiconductor component material (50). A diffusion-inhibiting layer in a highly doped region (62) is partially removed. The dopant source (66) is formed on the diffusion-inhibiting layer in the highly doped region and the dopant is diffused from the dopant source into the semiconductor component material. The dopant is made up of phosphorus or boron.