Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung dotierter Diamantschichten

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) und ein Verfahren zum Aufbringen einer dotierten Diamantschicht auf ein Substrat (2, 2a) durch chemische Gasphasenabscheidung. Die Vorrichtung (1) weist eine Abscheidekammer zum Aufnehmen des Substrats (2, 2a), ein Gasaktivierungselement (7) in Form eines...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Doris STEINMÜLLER-NETHL Dr, Maximillian STEINMÜLLER, Detlef STEINMÜLLER Dr
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL CRYSTAL GROWTH DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) und ein Verfahren zum Aufbringen einer dotierten Diamantschicht auf ein Substrat (2, 2a) durch chemische Gasphasenabscheidung. Die Vorrichtung (1) weist eine Abscheidekammer zum Aufnehmen des Substrats (2, 2a), ein Gasaktivierungselement (7) in Form eines Hohlkörpers mit einem Strömungskanal (7b) für ein Prozessgas, insbesondere Wasserstoff, eine vom Strömungskanal (7b) in die Abscheidekammer (3) mündende Austrittsöffnung (16), eine Heizvorrichtung (8) zum Aufheizen einer den Strömungskanal (7b) umgebenden Wandung (7a) des Gasaktivierungselements (7) und einen festen, von Kohlenstoff verschiedenen Präkursor innerhalb des Strömungskanals (7b) auf. The invention relates to a device (1) and a process for applying a doped diamond layer to a substrate (2, 2a) by chemical vapour deposition. The device (1) has a deposition chamber for holding the substrate (2, 2a), a gas activation element (7) in the form of a hollow body with a flow channel (7b) for a process gas, in particular hydrogen, an outlet opening (16) leading from the flow channel (7b) into the deposition chamber (3), a heating device (8) for heating a wall (7a) of the gas activation element (7) surrounding the flow channel (7b) and a solid precursor, other than carbon, within the flow channel (7b).