Verfahren zur Ermittlung des Ladezustandes eines Phasenwechselspeichers

Um die Bestimmung des Ladezustandes einer Phasenwechselspeicherzelle zu verbessern ist vorgesehen, dass an vorgesehenen Messstellen (M) der Phasenwechselspeicherzelle (2) zumindest zwei verschiedene thermodynamische Zustandsgrößen erfasst werden, mit einem Systemmodell (10) ein prädizierter Ausgangsgrößenvektor, und ein prädizierter Systemzustandsvektor , und Empfindlichkeiten E des ermittelten prädizierten Ausgangsgrößenvektors , als Ableitungen , des prädizierten Ausgangsgrößenvektors , ˆM k y nach dem Systemzustandsvektor x des Systemmodells (10) ermittelt werden, zum Zeitschritt k anhand des prädizierten Ausgangsgrößenvektors , , der Empfindlichkeiten E der prädizierten Ausgangsgrößen , und gemessenen Ausgangsgrößen eine Korrektur für den prädizierte Systemzustandsvektor , ermittelt wird, um zum Zeitschritt k einen geschätzten Systemzustandsvektor für die zumindest eine Phasenwechselspeicherzelle (2) zu ermitteln, aus dem der Ladezustand SOC ermittelt wird. The aim of the invention is to determine the charge state of a phase-change memory cell. According to the invention, this is achieved in that at least two different thermodynamic state variables are detected at provided measurement points (M) of the phase change memory cell (2); a system model (10) is used to ascertain a predicted starting variable vector yM, k, a predicted system state vector xM, k, and sensitivities E of the ascertained predicted starting variable vector yM, k as partial derivatives of the predicted starting variable vector yM, k according to the system state vector x of the system model (10); a correction Xkorr for the predicted system state vector xM, k is ascertained at the time interval k using the predicted starting variable vector yM, k, the sensitivities E of the predicted starting variables yM, k, and measured starting variables yk in order to ascertain an estimated system state vector xM, k, from which the charge state SOC is ascertained, for the at least one phase-change memory cell (2) at the time interval k.