Wolfram-Sputtering-Target und Verfahren zu seiner Herstellung

Ein Wolfram-Sputtering-Target wird vorgesehen, das in der Lage ist, einen Wolframfilm mit einem geringen spezifischen Widerstand zu bilden, wenn der Wolframfilm unter Verwendung des Wolfram-Sputtering-Targets gebildet wird. Ein Wolfram-Sputtering-Target, wobei eine Reinheit von Wolfram 5 N (99,999 G...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Takafumi Dasai, Seiji Nakasumi, Shinji Sogawa
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	CASTING MAKING METALLIC POWDER MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER PERFORMING OPERATIONS POWDER METALLURGY TRANSPORTING WORKING METALLIC POWDER
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein Wolfram-Sputtering-Target wird vorgesehen, das in der Lage ist, einen Wolframfilm mit einem geringen spezifischen Widerstand zu bilden, wenn der Wolframfilm unter Verwendung des Wolfram-Sputtering-Targets gebildet wird. Ein Wolfram-Sputtering-Target, wobei eine Reinheit von Wolfram 5 N (99,999 Gew.-%) oder mehr beträgt, und eine Verunreinigung von Kohlenstoff und eine Verunreinigung von Sauerstoff, die im Wolfram enthalten sind, jeweils 50 ppm, bezogen auf das Gewicht, oder weniger betragen, und eine mittlere Wolframkristall- Korngröße mehr als 100 μm beträgt. According to one of various aspects of the present invention, a tungsten sputtering target has a purity of tungsten is 5 N (99.999% by weight) or more, and an impurity of carbon and an impurity of oxygen contained in tungsten are 50 ppm by weight or less, respectively, and an average grain size of tungsten crystal is more than 100 μm.