AT16977U

Beim Behandeln von Substraten mit einem Behandlungsmedium, das wenigstens eine für das Behandeln wirksame Chemikalie enthält, beispielsweise beim Entfernen einer Maskierungsschicht (101) von einem Halbleitersubstrat (110) durch Ätzen, wird das Behandlungsmedium erst unmittelbar vor dem Aufbringen auf das Substrat (110) auf eine für das Behandeln wirksame Temperatur erwärmt, wobei das Behandlungsmedium die für das Behandeln optimale Temperatur hat, wenn es auf das Substrat trifft. So werden eine kurze Behandlungsdauer, geringe, thermisch bedingte Zersetzungsverluste an Chemikalie und ein Einsparen an Behandlungsmedium erreicht. According to the invention, when treating substrates with a treatment medium containing at least one chemical effective for treatment, for example when removing a masking layer (101) from a semiconductor substrate (110) by etching, the treatment medium is heated to a temperature effective for treatment only immediately prior to apply to the substrate (110), the treatment medium being at the optimum temperature for treatment when it impinges on the substrate. Thus, a short treatment time, low, thermally induced decomposition losses of chemical and a saving of treatment medium are achieved.