Structural and electrical properties of InSb films prepared by flash evaporation technique

Indium antimony (InSb) alloy were prepared successfully. The InSb films were prepared by ^ash thermal evaporation technique on glass and Si p-type substrate at various substrate temperatures (Ts= 423,448,473, and 498 K). The compounds concentrations for prepared alloy were examined by using Atomic A...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences 2013, Vol.26 (3), p.77-85
Hauptverfasser: Khidr, Iman Hamid, Ilyas, Maysun Faysal Ahmad, Maqadasi, Matti Nasir
Format: Artikel
Sprache:ara ; eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page 85
container_issue 3
container_start_page 77
container_title Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences
container_volume 26
creator Khidr, Iman Hamid
Ilyas, Maysun Faysal Ahmad
Maqadasi, Matti Nasir
description Indium antimony (InSb) alloy were prepared successfully. The InSb films were prepared by ^ash thermal evaporation technique on glass and Si p-type substrate at various substrate temperatures (Ts= 423,448,473, and 498 K). The compounds concentrations for prepared alloy were examined by using Atomic Absorption Spectroscopy (AAS) and X-ray ^uorescence (XRF). The structure of prepared InSb alloy and films deposited at various Ts were examined by X-ray diffraction (XRD).It was found that all prepared InSb alloy and films were polycrystalline with (111) preferential direction . The electrical properties of the films are studied with the varying Ts. It is found that the electrical conductivity of the films increased with the increase of Ts, while the activation energies decreased. The Hall Effect measurements showed that the type of all prepared films was n-type .The charge carrier concentration decreased with the increase Ts whereas, the carriers mobility increased. The drift velocity, mean free path and life time of the deposited films for all the range of Ts have been determined. From the measurements of the four point probe methods, the sheet conductivity increased with the increase of Ts. حضرت سبيكة الانديوم انتيمونايد بنجاح٬ و كذلك حضرت أغشية الانديوم انتيمونايد بتقنية التبخير الوميضي على أرضية من الزجاج و السليكون موجب النوع عند درجات حرارة أساس مختلفة (498، 473، 448، 423) كلفن. و حدد تركيز عناصر مركبات السبيكة باستخدام مطياف الامتصاص الذري، و فلورة الأشعة السينية. من تحليل حيود الأشعة السينية تبينان تركيب السبيكة و جميع الأغشية المرسبة عند مختلف درجات حرارة الأساس ذي تركيب متعدد التبلور٬ و الاتجاه المفضل (111). دراسة الخصائص الكهربائية للأغشية عند مختلف درجات حرارة الأساس٬ وجد أن التوصيلية الكهربائية للأغشية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تقل طاقة التنشيط. بينت قياسات هول أن الأغشية المحضرة من النوع السالب. تقل تراكيز حوامل الشحنة مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تزداد حركية الحوامل. عينت الانجراف و معدل المسار الحر للأغشية المحضرة. من قياسات طريقة المجسات الأربعة تبينان التوصيلية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس.
format Article
fullrecord <record><control><sourceid>emarefa</sourceid><recordid>TN_cdi_emarefa_primary_598770</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>598770</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-emarefa_primary_5987703</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqFi70KwjAURoMoWLSPINwXKKT_7SyKznVyKWl7QyNpE5NU6Nubwd3pO4fDtyFBkidxlGa03JIgLmgdZTRL9iS09kUpTao6LSoakGfjzNK7xTAJbB4AJfbOiN6rNkqjcQItKA73uemACzlZH1AzgwN0K3DJ7Aj4YVoZ5oSawWE_zuK94JHsOJMWw98eyOl6eZxvEU7-zVmrjfC0tnldlSVN__Uv42NBcw</addsrcrecordid><sourcetype>Publisher</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>article</recordtype></control><display><type>article</type><title>Structural and electrical properties of InSb films prepared by flash evaporation technique</title><source>DOAJ Directory of Open Access Journals</source><creator>Khidr, Iman Hamid ; Ilyas, Maysun Faysal Ahmad ; Maqadasi, Matti Nasir</creator><creatorcontrib>Khidr, Iman Hamid ; Ilyas, Maysun Faysal Ahmad ; Maqadasi, Matti Nasir</creatorcontrib><description>Indium antimony (InSb) alloy were prepared successfully. The InSb films were prepared by ^ash thermal evaporation technique on glass and Si p-type substrate at various substrate temperatures (Ts= 423,448,473, and 498 K). The compounds concentrations for prepared alloy were examined by using Atomic Absorption Spectroscopy (AAS) and X-ray ^uorescence (XRF). The structure of prepared InSb alloy and films deposited at various Ts were examined by X-ray diffraction (XRD).It was found that all prepared InSb alloy and films were polycrystalline with (111) preferential direction . The electrical properties of the films are studied with the varying Ts. It is found that the electrical conductivity of the films increased with the increase of Ts, while the activation energies decreased. The Hall Effect measurements showed that the type of all prepared films was n-type .The charge carrier concentration decreased with the increase Ts whereas, the carriers mobility increased. The drift velocity, mean free path and life time of the deposited films for all the range of Ts have been determined. From the measurements of the four point probe methods, the sheet conductivity increased with the increase of Ts. حضرت سبيكة الانديوم انتيمونايد بنجاح٬ و كذلك حضرت أغشية الانديوم انتيمونايد بتقنية التبخير الوميضي على أرضية من الزجاج و السليكون موجب النوع عند درجات حرارة أساس مختلفة (498، 473، 448، 423) كلفن. و حدد تركيز عناصر مركبات السبيكة باستخدام مطياف الامتصاص الذري، و فلورة الأشعة السينية. من تحليل حيود الأشعة السينية تبينان تركيب السبيكة و جميع الأغشية المرسبة عند مختلف درجات حرارة الأساس ذي تركيب متعدد التبلور٬ و الاتجاه المفضل (111). دراسة الخصائص الكهربائية للأغشية عند مختلف درجات حرارة الأساس٬ وجد أن التوصيلية الكهربائية للأغشية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تقل طاقة التنشيط. بينت قياسات هول أن الأغشية المحضرة من النوع السالب. تقل تراكيز حوامل الشحنة مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تزداد حركية الحوامل. عينت الانجراف و معدل المسار الحر للأغشية المحضرة. من قياسات طريقة المجسات الأربعة تبينان التوصيلية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس.</description><identifier>ISSN: 1609-4042</identifier><identifier>EISSN: 2521-3407</identifier><language>ara ; eng</language><publisher>بغداد، العراق: جامعة بغداد، كلية التربية ابن الهيثم</publisher><subject>Electrical properties ; Evaporation ; Indium antimonide ; Structural properties ; Thin films ; التبخر ; الخواص الكهربائية ; الرطوبة ; الفيزياء ; الكيمياء</subject><ispartof>Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences, 2013, Vol.26 (3), p.77-85</ispartof><lds50>peer_reviewed</lds50><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><link.rule.ids>314,780,784</link.rule.ids></links><search><creatorcontrib>Khidr, Iman Hamid</creatorcontrib><creatorcontrib>Ilyas, Maysun Faysal Ahmad</creatorcontrib><creatorcontrib>Maqadasi, Matti Nasir</creatorcontrib><title>Structural and electrical properties of InSb films prepared by flash evaporation technique</title><title>Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences</title><description>Indium antimony (InSb) alloy were prepared successfully. The InSb films were prepared by ^ash thermal evaporation technique on glass and Si p-type substrate at various substrate temperatures (Ts= 423,448,473, and 498 K). The compounds concentrations for prepared alloy were examined by using Atomic Absorption Spectroscopy (AAS) and X-ray ^uorescence (XRF). The structure of prepared InSb alloy and films deposited at various Ts were examined by X-ray diffraction (XRD).It was found that all prepared InSb alloy and films were polycrystalline with (111) preferential direction . The electrical properties of the films are studied with the varying Ts. It is found that the electrical conductivity of the films increased with the increase of Ts, while the activation energies decreased. The Hall Effect measurements showed that the type of all prepared films was n-type .The charge carrier concentration decreased with the increase Ts whereas, the carriers mobility increased. The drift velocity, mean free path and life time of the deposited films for all the range of Ts have been determined. From the measurements of the four point probe methods, the sheet conductivity increased with the increase of Ts. حضرت سبيكة الانديوم انتيمونايد بنجاح٬ و كذلك حضرت أغشية الانديوم انتيمونايد بتقنية التبخير الوميضي على أرضية من الزجاج و السليكون موجب النوع عند درجات حرارة أساس مختلفة (498، 473، 448، 423) كلفن. و حدد تركيز عناصر مركبات السبيكة باستخدام مطياف الامتصاص الذري، و فلورة الأشعة السينية. من تحليل حيود الأشعة السينية تبينان تركيب السبيكة و جميع الأغشية المرسبة عند مختلف درجات حرارة الأساس ذي تركيب متعدد التبلور٬ و الاتجاه المفضل (111). دراسة الخصائص الكهربائية للأغشية عند مختلف درجات حرارة الأساس٬ وجد أن التوصيلية الكهربائية للأغشية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تقل طاقة التنشيط. بينت قياسات هول أن الأغشية المحضرة من النوع السالب. تقل تراكيز حوامل الشحنة مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تزداد حركية الحوامل. عينت الانجراف و معدل المسار الحر للأغشية المحضرة. من قياسات طريقة المجسات الأربعة تبينان التوصيلية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس.</description><subject>Electrical properties</subject><subject>Evaporation</subject><subject>Indium antimonide</subject><subject>Structural properties</subject><subject>Thin films</subject><subject>التبخر</subject><subject>الخواص الكهربائية</subject><subject>الرطوبة</subject><subject>الفيزياء</subject><subject>الكيمياء</subject><issn>1609-4042</issn><issn>2521-3407</issn><fulltext>true</fulltext><rsrctype>article</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>article</recordtype><recordid>eNqFi70KwjAURoMoWLSPINwXKKT_7SyKznVyKWl7QyNpE5NU6Nubwd3pO4fDtyFBkidxlGa03JIgLmgdZTRL9iS09kUpTao6LSoakGfjzNK7xTAJbB4AJfbOiN6rNkqjcQItKA73uemACzlZH1AzgwN0K3DJ7Aj4YVoZ5oSawWE_zuK94JHsOJMWw98eyOl6eZxvEU7-zVmrjfC0tnldlSVN__Uv42NBcw</recordid><startdate>2013</startdate><enddate>2013</enddate><creator>Khidr, Iman Hamid</creator><creator>Ilyas, Maysun Faysal Ahmad</creator><creator>Maqadasi, Matti Nasir</creator><general>جامعة بغداد، كلية التربية ابن الهيثم</general><scope>ADJCN</scope><scope>AHFXO</scope></search><sort><creationdate>2013</creationdate><title>Structural and electrical properties of InSb films prepared by flash evaporation technique</title><author>Khidr, Iman Hamid ; Ilyas, Maysun Faysal Ahmad ; Maqadasi, Matti Nasir</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-emarefa_primary_5987703</frbrgroupid><rsrctype>articles</rsrctype><prefilter>articles</prefilter><language>ara ; eng</language><creationdate>2013</creationdate><topic>Electrical properties</topic><topic>Evaporation</topic><topic>Indium antimonide</topic><topic>Structural properties</topic><topic>Thin films</topic><topic>التبخر</topic><topic>الخواص الكهربائية</topic><topic>الرطوبة</topic><topic>الفيزياء</topic><topic>الكيمياء</topic><toplevel>peer_reviewed</toplevel><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Khidr, Iman Hamid</creatorcontrib><creatorcontrib>Ilyas, Maysun Faysal Ahmad</creatorcontrib><creatorcontrib>Maqadasi, Matti Nasir</creatorcontrib><collection>الدوريات العلمية والإحصائية - e-Marefa Academic and Statistical Periodicals</collection><collection>معرفة - المحتوى العربي الأكاديمي المتكامل - e-Marefa Academic Complete</collection><jtitle>Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences</jtitle></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext</fulltext></delivery><addata><au>Khidr, Iman Hamid</au><au>Ilyas, Maysun Faysal Ahmad</au><au>Maqadasi, Matti Nasir</au><format>journal</format><genre>article</genre><ristype>JOUR</ristype><atitle>Structural and electrical properties of InSb films prepared by flash evaporation technique</atitle><jtitle>Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences</jtitle><date>2013</date><risdate>2013</risdate><volume>26</volume><issue>3</issue><spage>77</spage><epage>85</epage><pages>77-85</pages><issn>1609-4042</issn><eissn>2521-3407</eissn><abstract>Indium antimony (InSb) alloy were prepared successfully. The InSb films were prepared by ^ash thermal evaporation technique on glass and Si p-type substrate at various substrate temperatures (Ts= 423,448,473, and 498 K). The compounds concentrations for prepared alloy were examined by using Atomic Absorption Spectroscopy (AAS) and X-ray ^uorescence (XRF). The structure of prepared InSb alloy and films deposited at various Ts were examined by X-ray diffraction (XRD).It was found that all prepared InSb alloy and films were polycrystalline with (111) preferential direction . The electrical properties of the films are studied with the varying Ts. It is found that the electrical conductivity of the films increased with the increase of Ts, while the activation energies decreased. The Hall Effect measurements showed that the type of all prepared films was n-type .The charge carrier concentration decreased with the increase Ts whereas, the carriers mobility increased. The drift velocity, mean free path and life time of the deposited films for all the range of Ts have been determined. From the measurements of the four point probe methods, the sheet conductivity increased with the increase of Ts. حضرت سبيكة الانديوم انتيمونايد بنجاح٬ و كذلك حضرت أغشية الانديوم انتيمونايد بتقنية التبخير الوميضي على أرضية من الزجاج و السليكون موجب النوع عند درجات حرارة أساس مختلفة (498، 473، 448، 423) كلفن. و حدد تركيز عناصر مركبات السبيكة باستخدام مطياف الامتصاص الذري، و فلورة الأشعة السينية. من تحليل حيود الأشعة السينية تبينان تركيب السبيكة و جميع الأغشية المرسبة عند مختلف درجات حرارة الأساس ذي تركيب متعدد التبلور٬ و الاتجاه المفضل (111). دراسة الخصائص الكهربائية للأغشية عند مختلف درجات حرارة الأساس٬ وجد أن التوصيلية الكهربائية للأغشية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تقل طاقة التنشيط. بينت قياسات هول أن الأغشية المحضرة من النوع السالب. تقل تراكيز حوامل الشحنة مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تزداد حركية الحوامل. عينت الانجراف و معدل المسار الحر للأغشية المحضرة. من قياسات طريقة المجسات الأربعة تبينان التوصيلية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس.</abstract><cop>بغداد، العراق</cop><pub>جامعة بغداد، كلية التربية ابن الهيثم</pub><tpages>9</tpages></addata></record>
fulltext fulltext
identifier ISSN: 1609-4042
ispartof Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences, 2013, Vol.26 (3), p.77-85
issn 1609-4042
2521-3407
language ara ; eng
recordid cdi_emarefa_primary_598770
source DOAJ Directory of Open Access Journals
subjects Electrical properties
Evaporation
Indium antimonide
Structural properties
Thin films
التبخر
الخواص الكهربائية
الرطوبة
الفيزياء
الكيمياء
title Structural and electrical properties of InSb films prepared by flash evaporation technique
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-28T13%3A47%3A59IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-emarefa&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.genre=article&rft.atitle=Structural%20and%20electrical%20properties%20of%20InSb%20films%20prepared%20by%20flash%20evaporation%20technique&rft.jtitle=Ibn%20Al-Haitham%20Journal%20for%20Pure%20and%20Applied%20Sciences&rft.au=Khidr,%20Iman%20Hamid&rft.date=2013&rft.volume=26&rft.issue=3&rft.spage=77&rft.epage=85&rft.pages=77-85&rft.issn=1609-4042&rft.eissn=2521-3407&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cemarefa%3E598770%3C/emarefa%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true