Structural and electrical properties of InSb films prepared by flash evaporation technique
Indium antimony (InSb) alloy were prepared successfully. The InSb films were prepared by ^ash thermal evaporation technique on glass and Si p-type substrate at various substrate temperatures (Ts= 423,448,473, and 498 K). The compounds concentrations for prepared alloy were examined by using Atomic A...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences 2013, Vol.26 (3), p.77-85 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | ara ; eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Indium antimony (InSb) alloy were prepared successfully. The InSb films were prepared by ^ash thermal evaporation technique on glass and Si p-type substrate at various substrate temperatures (Ts= 423,448,473, and 498 K).
The compounds concentrations for prepared alloy were examined by using Atomic Absorption Spectroscopy (AAS) and X-ray ^uorescence (XRF). The structure of prepared InSb alloy and films deposited at various Ts were examined by X-ray diffraction (XRD).It was found that all prepared InSb alloy and films were polycrystalline with (111) preferential direction .
The electrical properties of the films are studied with the varying Ts. It is found that the electrical conductivity of the films increased with the increase of Ts, while the activation energies decreased. The Hall Effect measurements showed that the type of all prepared films was n-type .The charge carrier concentration decreased with the increase Ts whereas, the carriers mobility increased. The drift velocity, mean free path and life time of the deposited films for all the range of Ts have been determined. From the measurements of the four point probe methods, the sheet conductivity increased with the increase of Ts.
حضرت سبيكة الانديوم انتيمونايد بنجاح٬ و كذلك حضرت أغشية الانديوم انتيمونايد بتقنية التبخير الوميضي على أرضية من الزجاج و السليكون موجب النوع عند درجات حرارة أساس مختلفة (498، 473، 448، 423) كلفن. و حدد تركيز عناصر مركبات السبيكة باستخدام مطياف الامتصاص الذري، و فلورة الأشعة السينية. من تحليل حيود الأشعة السينية تبينان تركيب السبيكة و جميع الأغشية المرسبة عند مختلف درجات حرارة الأساس ذي تركيب متعدد التبلور٬ و الاتجاه المفضل (111). دراسة الخصائص الكهربائية للأغشية عند مختلف درجات حرارة الأساس٬ وجد أن التوصيلية الكهربائية للأغشية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تقل طاقة التنشيط. بينت قياسات هول أن الأغشية المحضرة من النوع السالب. تقل تراكيز حوامل الشحنة مع زيادة درجات حرارة الأساس٬ بينما تزداد حركية الحوامل. عينت الانجراف و معدل المسار الحر للأغشية المحضرة. من قياسات طريقة المجسات الأربعة تبينان التوصيلية تزداد مع زيادة درجات حرارة الأساس. |
---|---|
ISSN: | 1609-4042 2521-3407 |