Effect of thickness and annealing temperature on (C-V) characterization of CdS/Si heterojunction preparing by DC planar magnetron sputtering technique and study of D.C. electrical conductivity

إن أغشية كبريتيد الكادميوم تم ترسيبها على أرضيات رقائق من السليكون بتقنية الترذيذ المغناطيسي المستمر و تم دراسة الخواص الفوتوفولتائية للمفرق ألهجيني المذكور و تم من خلال الدراسة معرفة نوع المفرق ألهجيني و تبين أنه من النوع الحاد و كذلك تم معرفة جهد البناء الداخلي لتردد (400) كيلو هيرتز و لسمك (100، 200، 300) نانو متر على التوالي و لدرجات حرارة مختلفة تراوحت بين (303، 373، 473) كلفن على التوالي و كذلك تم دراسة تغير سعة المفرق مع فولتية الانحياز العكسي و تغير الفولتية مع مقلوب مربع السعة و كذلك تم حساب عرض منطقة النضوب. و دراسة تغير التوصيلية الكهربائية كدالة لدرجة الحرارة و لمختلف الأسماك، و يبدو واضحا من هذه الدراسة أن التوصيلية الكهربائية لكل ترسيبات الأغشية تزداد مع السمك و مع درجة الحرارة. كذلك نلاحظ أن التوصيلية الكهربائية تقل بزيادة درجة حرارة التلدين. و كذلك تم حساب طاقة التنشيط و وجد أن هنالك طاقتان للتنشيط. The thin films of CdS deposited on silicon wafers substrate by (dc planar magnetron sputtering techniques). and they are study photovoltaic characteristics of (n-CdS / p-Si) Heterojunction, then we found type of heterojunction is abrupt type, also we calculated built-in potential (Vbi) at (400 kHz) and for thickness (100, 200 and 300) nm for different temperatures (303, 373 and 473) K and study the variation junction capacitance with bias voltage, variation voltage with reciprocal of square capacitance, and the width of depletion layer can be calculated and study of the variation of electrical conductivity as a function of temperature for different thicknesses, it is clear from this study that the conductivity for all deposited films increases with thickness, and increases with temperature. Also its observed that the conductivity of the films decreases with increasing of annealing temperatures and we found there are tow activation energy can be calculated in this study.