Author Correction: A quantitative approach for trap analysis between Al0.25Ga0.75N and GaN in high electron mobility transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Scientific reports 2021-12, Vol.11 (1), p.23667-23667, Article 23667
Hauptverfasser:	Amir, Walid, Shin, Ju‑Won, Shin, Ki‑Yong, Kim, Jae‑Moo, Cho, Chu‑Young, Park, Kyung‑Ho, Hoshi, Takuya, Tsutsumi, Takuya, Sugiyama, Hiroki, Matsuzaki, Hideaki, Kim, Tae‑Woo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Author Author Correction Humanities and Social Sciences multidisciplinary Science Science (multidisciplinary)
Online-Zugang:	Volltext
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