Correction: Efficiency improvement by using metal–insulator-semiconductor structure in InGaN/GaN micro-light-emitting diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Frontiers of Optoelectronics (Online) 2024-04, Vol.17 (1), p.10-10, Article 10
Hauptverfasser:	Yin, Jian, Hwang, David, Siboni, Hossein Zamani, Fathi, Ehsanollah, Chaji, Reza, Ban, Dayan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Biomedical Engineering and Bioengineering Correction Electrical Engineering Engineering Physics
Online-Zugang:	Volltext
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