Interfacial stress field generate by a biperiodic hexagonal network of misfit dislocations in a thin bicristal InAs/(111)GaAs

The elastic interactions generated by the presence of a biperiodic network, more precisely hexagonal, of misfit dislocations in the interfacing of a thin bicristal have been simulated numerically while considering an anisotropic elasticity for each crystal. The representation of the normal equi-stress near the dislocation segments and near of the triple node of hexagonal cell permits to detect the stress concentration zone du to elastic field for InAs/(111)GaAs system, because, in the category of semiconductors, this is an ideal system which exhibit the presence of edge dislocations type parallels to the free surfaces by S.T.M.[1]. Las interacciones elásticas generadas por la presencia de una red biperiódica, de dislocaciones en la interfase de un bicristal han sido simuladas numéricamente, considerando elasticidad anisotropa para cada cristal. La representación de las tensiones próximas a las dislocaciones y del nodo triple de la celda hexagonal, permite detectar la zona de concentración de tensiones debido al campo elástico para el sistema InAS/(111) GaAS, ya que, en los semiconductores, éste es un sistema ideal que muestra la presencia de dislocaciones paralelas a las superficies libres por S.T.M.[1].