Modeling of Mechanical Influence of Double-Beam Laser on Single-Crystalline Silicon

W pracy przedstawiono wyniki modelowania metoda elementów skonczonych termorozszczepiania krystalicznego krzemu przy pomocy wiazek laserowych. Analizowano przypadek działania dwóch wiazek laserowych o długosci fali 0,808 μm i 1,06 μm. Obliczenia pól termosprezystych, formowanych w krystalicznym waflu krystalicznym, prowadzono jako efekt kolejnych działan dwuwiazkowego ogrzewania laserowego i chłodzenia dla orientacji (100), (110), (111) krystalicznego krzemu. Modelowanie prowadzone było dla wiazek o przekroju kolistym oraz w kształcie litery U. Otrzymane wyniki moga byc wykorzystane do optymalizacji precyzyjnego ciecia laserem wafli krzemowych.