AB INITIO CALCULATIONS OF THE CRYSTALLINE AND ELECTRONIC STRUCTURE OF 5-7 FLUOROGRAPHENE VARIETIES

Первопринципные расчеты структуры и электронных свойств двух новых полиморфных разновидностей фторографена были выполнены методом теории функционала плотности. Новые слои фторографена могут формироваться при химической адсорбции фтора на поверхности 5 - 7 графеновых слоев. Структура слоя первого тип...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Fiziko-himičeskie aspekty izučeniâ klasterov, nanostruktur i nanomaterialov (Online) nanostruktur i nanomaterialov (Online), 2020-12 (12()), p.326-337
Hauptverfasser: Беленков, Максим Евгеньевич, Чернов, Владимир Михайлович
Format: Artikel
Sprache:rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Первопринципные расчеты структуры и электронных свойств двух новых полиморфных разновидностей фторографена были выполнены методом теории функционала плотности. Новые слои фторографена могут формироваться при химической адсорбции фтора на поверхности 5 - 7 графеновых слоев. Структура слоя первого типа более деформирована по сравнению со структурой второго типа (деформационные параметры Def = 60,48° и Def = 31,51° ). Энергии сублимации и ширины запрещенных зон составляют 13,85, 14,17 эВ/(CF), и 4,09, 3,32 эВ для CF - L слоев T1, T2 типов соответственно. First-principle calculations of the structural and electronic properties of two new polymorphic varieties of fluorographene were performed using the density functional theory method. New layers of fluorographene can be formed during chemical adsorption of fluorine on the surface of 5 - 7 graphene layers. The structure of the layer of the first type is more deformed in comparison with the structure of the second type (deformation parameters Def = 60,48 ° and Def = 31,51 °). Sublimation energies and band gaps are 13,85, 14,17 eV/(CF), and 4,09, 3,32 eV for CF-L layers of T1, T 2 types, respectively.
ISSN:2226-4442
2658-4360
DOI:10.26456/pcascnn/2020.12.326