I-V characteristic and crystal structural of a-as / c-si heterojunctions

In this research the a-As flims have been prepared by thermal evaporation with thickness 250 nm and rata of deposition (1.04nm/sec) as function to annealing temperature (373 and 373K), from XRD analysis we can see that the degree of crystalline increase with , and I-V characteristic for dark and illumination shows that forward bias current varieties approximately exponentially with voltage bias. Also we found that the quality factor and saturation current dependence on annealing temperatures. حضرت أغشية a-As بطريقة التبخير الحراري بسمك 250 nm معدل الترسيب (1.04nm / sec) كدالة لدرجات الحرارة التلدين 373 and 473) K) بينت فحوصات XRD وجود التركيب العشوائي مع تبلور جزئي لأغشية a-As المحضرة عند RT و لوحظ زيادة درجة التبلور مع زيادة درجة حرارة التلدين درست خصائص التيار-فولتية في الظلام و الإنارة حيث لوحظ زيادة التيار الأمامي مع درجة حرارة التلدين و أن تيار الانحياز الأمامي يتغير أسيا مع فولتية الانحياز, كذلك وجد اعتماد عامل المثالية و تيار الإشباع على درجة حرارة التلدين.