Electrophysical Properties of Indium Doped As2(S, Se)3 thin Films

The electrical studies of In-doped thin films based glassy As2S3 and As2Se3, determined the energy of activation, the analysis of photovoltaic memory samples.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Fìzika ì hìmìâ tverdogo tìla (Online) 2017-09, Vol.17 (4), p.511-514
Hauptverfasser:	Grytsyshche, I.V., Kozak, M.I., Chichura, I.I., Solomon, A.M., Krasilinets, V.M., Loya, V.Yu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	The electrical studies of In-doped thin films based glassy As2S3 and As2Se3, determined the energy of activation, the analysis of photovoltaic memory samples.
ISSN:	1729-4428 2309-8589
DOI:	10.15330/pcss.17.4.511-514