Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors

Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повы...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki 2019-06 (5), p.99-103
Hauptverfasser:	V. A. Solodukha, U. A. Pilipenko, V. A. Gorushko
Format:	Artikel
Sprache:	rus
Schlagworte:	быстрая термообработка подзатворный диэлектрик р- и n-канальные транзисторы
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повысить надежность приборов.
ISSN:	1729-7648