The effect of sulfide content (x) on the electrical properties of (ZnSx Se1-x) thin films

Thin films of ZnSxSe1-x with different sulfide content(x) (0, 0.02, 0.04, 0.06, 0.8, and 0.1), thickness (t) (0.3, 0.5, and 0.7 μm) and annealing temperature (Ta) (R.T 373 and 423K) were fabricated by thermal evaporating under vacuum of 10-5 Toor on glass substrate. The results show that the increasing of sulfide content (x) and annealing temperature lead to decrease the d.c conductivity σDC of and concentration of charge carriers (nH) but increases the activation energy (Ea1, Ea2), while the increasing of t increases σDC and nH but decrease (Ea1, Ea2). The results were explained in different terms. تم تحضير أغشة رقيقة من ZnSx Se1-x بنسب مختلفة من المحتوى من الكبريت و بأسماك و بدرجات حرارة تلدين مختلفة بطريقة التبخير الحراري تحت الفراغ على أرضية زجاجية. أظهرت النتائج أن زيادة المحتوى من الكبريت و درجة حرارة التلدين يؤدي إلى نقصان في قيم التوصيلية الكهربائية المستمرة σDC و كثافة حاملات الشحنة nH لكنه يزيد قيم طاقة التنشيط Ea1, Ea2 بينما زيادة السمك أدى إلى زيادة قيم كل من σDC و nH و هبوط قيم Ea1, Ea2. فسرت النتائج بدلالة رموز مختلفة.