Analysis and Mitigation of Negative Differential Resistance Effects with Hetero-gate Dielectric Layer in Negative-capacitance Field-effect Transistors

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Informacije MIDEM (Spletna izd.) 2024-04, Vol.51 (3), p.6-0
Hauptverfasser:	H. Huo, W. Lü, X. Zheng, Y. Wang, S. Zhao
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!