Effects of Sn4+ and Ta5+ dopant concentration on dielectric and electrical properties of TiO2: Internal barrier layer capacitor effect

Effects of Sn4+ and Ta5+ dopant concentration on dielectric and electrical properties of TiO2: Internal barrier layer capacitor effect

•SnT–TO ceramics show a highly dense microstructure.•SnT–TO exhibits a high dielectric permittivity (ε′ > 104).•Low loss tangent (tanẟ

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Results in physics 2022-11, Vol.42, p.106029, Article 106029
Hauptverfasser: Mingmuang, Yasumin, Chanlek, Narong, Moontragoon, Pairot, Srepusharawoot, Pornjuk, Thongbai, Prasit
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Co–dopant
Giant/Colossal permittivity
Grain boundary
Interfacial polarization
TiO2
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:•SnT–TO ceramics show a highly dense microstructure.•SnT–TO exhibits a high dielectric permittivity (ε′ > 104).•Low loss tangent (tanẟ
ISSN:2211-3797
2211-3797
DOI:10.1016/j.rinp.2022.106029